電子元件與材料最新期刊目錄

基于小型半模扇形諧振器的單頻和雙頻濾波器設(shè)計(jì)————作者：張勝;武禧龍;劉海;趙恩惠;喬紅亮;

摘要：基于一種小型半模扇形基片集成波導(dǎo)諧振器，分別設(shè)計(jì)出一種單頻帶通濾波器和一種雙頻帶通濾波器。首先，通過在諧振器表面引入兩個(gè)徑向槽，它們能夠獨(dú)立控制四個(gè)模式的諧振頻率，實(shí)現(xiàn)了阻帶帶寬達(dá)3.3 GHz的單頻濾波器。其次，在源和負(fù)載之間引入交叉枝節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)了中心頻率可調(diào)的雙頻濾波器。兩種濾波器均具有傳輸零點(diǎn)，極大地提高了濾波器的帶外抑制特性。最后，對(duì)雙頻濾波器進(jìn)行了加工和測(cè)量，實(shí)測(cè)中心頻率為0.94 G...

片式鉭電容器浪涌穩(wěn)定性研究————作者：田超;鄧俊濤;胡鵬;鄭傳江;王鳳華;

摘要：片式鉭電容器的浪涌穩(wěn)定性對(duì)電路系統(tǒng)的安全性和可靠性至關(guān)重要，通過浪涌擊穿電壓和浪涌電流測(cè)試研究了水汽、溫度和真空對(duì)浪涌穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明，由于異常瞬態(tài)效應(yīng)，水汽飽和使聚合物片式鉭電容器的浪涌擊穿電壓較干燥狀態(tài)提高約18%,1 ms浪涌電流降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。溫度從-55℃升高至125℃時(shí)，浪涌擊穿電壓降低約20%,浪涌電流逐漸增大，MnO₂片式鉭電容器的1 ms浪涌電流均...

采用新型差分有源電感的寬調(diào)諧范圍低相位噪聲VCO————作者：王雪;張萬榮;宋金達(dá);張輝;楚尚勛;

摘要：提出了一種基于新型差分有源電感（DAI）的小面積、寬調(diào)諧范圍、低相位噪聲的電感-電容型壓控振蕩器(L_AIC VCO)。其中DAI主要由差分正跨導(dǎo)器、改進(jìn)型負(fù)跨導(dǎo)器以及反饋電阻構(gòu)成，以獲得電感值的大調(diào)諧范圍，且同時(shí)保持較高Q值和較低的噪聲值；將DAI代替VCO中的傳統(tǒng)無源LC諧振腔，以減小芯片面積、拓展振蕩頻率的可調(diào)范圍、降低相位噪聲；同時(shí)采用RC濾波負(fù)阻產(chǎn)生電路，以濾除流入L...

一種高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)————作者：王凌翔;張濤;劉勁;

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓受運(yùn)放失調(diào)電壓影響較大，而無運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)電源的噪聲抑制效果不佳的問題，設(shè)計(jì)了一種降低失調(diào)電壓影響的高性能帶隙基準(zhǔn)電路。設(shè)計(jì)中通過改變?nèi)龢O管的連接方式使得該結(jié)構(gòu)具有抑制失調(diào)電壓的能力和更高的電源噪聲抑制能力，從而提高了輸出電壓的精度和電源抑制比(PSRR)。同時(shí)，利用三極管基極電流的負(fù)溫度高階項(xiàng)對(duì)帶隙輸出進(jìn)行低溫曲率補(bǔ)償，使得帶隙基準(zhǔn)電壓具有極低的溫度系數(shù)。該電路采用華虹宏力0....

基于改進(jìn)斑馬算法的GaN HEMT混合小信號(hào)建模————作者：李暢;王軍;

摘要：為了提高半導(dǎo)體器件小信號(hào)建模精度并解決優(yōu)化算法易陷入局部最優(yōu)解的問題，提出了一種基于改進(jìn)斑馬優(yōu)化算法(Improved Zebra Optimization Algorithm, IZOA)的氮化鎵高電子遷移率晶體管(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)混合小信號(hào)建模方法。采用數(shù)學(xué)修正法和直接提取法提取小信號(hào)參數(shù)，...

基于動(dòng)態(tài)復(fù)合壽命的LED多量子阱載流子分布計(jì)算————作者：馮曉雨;肖秧;房永恒;田海濤;劉宏偉;張東炎;

摘要：為了得到多量子阱(MQWs)發(fā)光二極管(LED)在正向偏壓下更精確的載流子壽命和濃度分布，研究了在動(dòng)態(tài)復(fù)合壽命條件下LED的MQWs載流子復(fù)合特性和分布特性。研究工作中，使用金屬有機(jī)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備生長(zhǎng)了AlGaInP/GaInP MQWs LED材料并加工為紅光LED器件。利用時(shí)間分辨光譜測(cè)試了LED的載流子復(fù)合壽命。結(jié)合材料和器件結(jié)構(gòu)參數(shù)建立了MQWs LED載流子計(jì)算模型，該模型使...

一種具有快速恢復(fù)能力的過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)————作者：晁慧;陳思寧;陳海進(jìn);

摘要：為了減小過流對(duì)電路的損害，設(shè)計(jì)了一種用于紋波電壓二次方恒定導(dǎo)通時(shí)間（V²COT）控制的降壓（BUCK）轉(zhuǎn)換器的過流保護(hù)電路。通過調(diào)整紋波注入電路的輸出波形，延長(zhǎng)其輸出信號(hào)小于反饋電壓信號(hào)的時(shí)間，推遲導(dǎo)通信號(hào)的到來，從而降低系統(tǒng)開關(guān)頻率。采用0.18μm的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝完成了電路設(shè)計(jì)和仿真驗(yàn)證。結(jié)果表明，當(dāng)限流閾值為3.9 A時(shí)，開關(guān)頻率最低降...

一種自檢測(cè)快起振8 MHz CMOS晶振電路設(shè)計(jì)————作者：陳小鈺;鄭迅;倪屹;

摘要：在微處理器中，為了解決高速外部時(shí)鐘源中傳統(tǒng)的皮爾斯晶體振蕩器起振時(shí)間長(zhǎng)的問題，提出了一種自檢測(cè)快起振8 MHz CMOS晶振電路。通過自啟動(dòng)電路到差分放大電路之間的電容建立正反饋回路，提升運(yùn)算放大器的偏置電流，從而加快輸出信號(hào)的響應(yīng)時(shí)間。利用開關(guān)占空比整形電路完成波形整形與電平移位，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部集成電源到數(shù)字電源的轉(zhuǎn)換。此外，為了確保晶振電路的精度和可靠性，設(shè)計(jì)了基于電容充放電與二分頻電路的自檢測(cè)機(jī)制...

疊層片式熱敏電阻表面絕緣處理技術(shù)的研究進(jìn)展————作者：程飛鵬;文昕;向艷;辜麗歡;

摘要：微電子技術(shù)的發(fā)展和對(duì)電子產(chǎn)品微型化的需求引領(lǐng)著熱敏電阻朝著小型化、高可靠性的方向發(fā)展，對(duì)熱敏電阻的材料及封裝技術(shù)也提出了更高的要求。表面絕緣化處理是影響疊層片式熱敏電阻封裝尺寸及可靠性的關(guān)鍵工藝，然而傳統(tǒng)的玻璃噴涂工藝難以適應(yīng)小尺寸元件的生產(chǎn)。為此針對(duì)疊層片式熱敏電阻為抑制電鍍時(shí)產(chǎn)生爬鍍、降低鍍液侵蝕的風(fēng)險(xiǎn)及提高環(huán)境耐受性而常用的幾種表面絕緣處理技術(shù)進(jìn)行了調(diào)研，對(duì)近年來片式元件行業(yè)廠商廣泛使用的噴...

無線無源聲表面波傳感器溫度補(bǔ)償方法————作者：徐靜寧;蔡飛達(dá);張勇斌;盧銘瑞;王晗;

摘要：針對(duì)密閉空間內(nèi)部狀態(tài)參數(shù)的長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)，設(shè)計(jì)了一種基于聲表面波(SAW)原理的無源無線應(yīng)變傳感器。為解決應(yīng)變測(cè)量中溫度干擾的問題，提出了一種基于最小二乘法的溫度補(bǔ)償方法。通過微擾理論和有限元分析，對(duì)傳感器的應(yīng)變系數(shù)和溫頻系數(shù)進(jìn)行了仿真計(jì)算，并對(duì)應(yīng)變系數(shù)與溫度的關(guān)系進(jìn)行了多項(xiàng)式擬合，建立了應(yīng)變系數(shù)對(duì)溫度的補(bǔ)償公式。構(gòu)建了SAW應(yīng)變傳感器測(cè)試系統(tǒng)，在30,36,50和60℃條件下，測(cè)得了0～1000με范...

嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的機(jī)理研究————作者：張瀟;周建偉;楊云點(diǎn);羅翀;欒曉東;邵祥清;李瑾;

摘要：為了提高多晶硅去除速率，從化學(xué)作用和機(jī)械作用兩個(gè)方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影響機(jī)理。一方面，X射線光電子能譜實(shí)驗(yàn)表明嘧啶的加入在多晶硅表面產(chǎn)生吸附，促進(jìn)了Si-Si鍵的極化斷裂以及Si-O鍵的形成，加速了多晶硅表面軟質(zhì)層的形成以及機(jī)械作用對(duì)其的去除。另一方面，Zeta電位、摩擦力、溫度數(shù)據(jù)表明嘧啶水解產(chǎn)生的嘧啶陽(yáng)離子降低了SiO₂磨料之間的靜電斥力，導(dǎo)致表面間的摩擦力增大，加...

基于第一性原理計(jì)算的磁性吸收劑電磁參數(shù)預(yù)測(cè)————作者：劉佳熙;白興智;張楠;陸海鵬;

摘要：磁性吸收劑是吸波材料的重要組成部分，其性能優(yōu)化與設(shè)計(jì)一直是該領(lǐng)域的研究前沿。本研究結(jié)合第一性原理計(jì)算與經(jīng)典電磁理論，從微觀到宏觀，分析原子組成結(jié)構(gòu)與磁性吸收劑微波電磁參數(shù)之間的關(guān)系，實(shí)現(xiàn)吸收劑的跨尺度研究。采用第一性原理計(jì)算的方法，選取Fe₁₅Si、FeCo、Fe₁₂Si₂Al₂三種典型球狀磁性吸收劑作為研究對(duì)...

基于LaCoFeO₃Co_xFe_y的高性能電磁波吸收材料研究————作者：晏金輝;葉升言;張明明;楊金培;馬瑞;

摘要：為了提高配網(wǎng)線路缺陷感知裝置的電磁信號(hào)識(shí)別距離，研究提出了基于LaCoFeO₃Co_xFe_y的電磁波吸收材料，通過脫溶策略將納米Co_xFe_y合金顆粒均勻嵌入至鈣鈦礦氧化物L(fēng)aCoFeO₃基體表面，能有效避免團(tuán)聚效應(yīng)，優(yōu)化材料的電磁波吸收性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，隨著硝酸鈷添加...

正負(fù)極配比對(duì)鎳鐵錳酸鈉//活性炭(NFM//AC)鈉離子電容器性能的影響————作者：安仲勛;范羚羚;夏恒恒;

摘要：鈉離子電容器（SICs）是近些年來興起的新型儲(chǔ)能器件，相較于雙電層電容器（EDLCs）具有更高的能量密度，相較于鈉離子電池（SIBs）具有更高的功率密度，同時(shí)兼具了成本和長(zhǎng)循環(huán)壽命優(yōu)勢(shì)，雖然國(guó)內(nèi)外研究還處于起步階段，但已成為電化學(xué)儲(chǔ)能器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文以鎳鐵錳酸鈉（NFM）為正極，活性炭（AC）為負(fù)極，采用六氟磷酸鈉（NaPF₆）/乙腈（CH₃CN...

高共模抑制比的肌電傳感器的電路設(shè)計(jì)————作者：楊成英;

摘要：肌電圖(EMG)被公認(rèn)是診斷和鑒別神經(jīng)肌肉疾病必備的客觀檢查手段。然而，傳統(tǒng)肌電傳感器電路存在共模抑制比(CMRR)低、濾波不完整的問題，導(dǎo)致肌電圖波動(dòng)大、精度低。基于具有低失調(diào)電壓、低增益漂移特性的ADI芯片AD8221放大器，以及具備低輸入偏置電流、低輸入失調(diào)電流以及高轉(zhuǎn)換率的運(yùn)算放大器TL084,設(shè)計(jì)了一款高精度的肌電圖傳感器采集電路。該電路利用運(yùn)算放大器的特點(diǎn)，將微分電路和絕對(duì)值電路有效融...

面向表面行波散射抑制的阻抗調(diào)制變量分析————作者：包家昕;鐘小丹;崔浩;

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)雷達(dá)散射吸波材料存在低頻性能差、重量大、環(huán)境適應(yīng)性差等問題，在材料不連續(xù)處添加漸變阻抗結(jié)構(gòu)可以作為一種抑制表面行波散射的方法。通過建立金屬與空氣分界面的電磁模型，比較了在分界面處引入漸變阻抗結(jié)構(gòu)前后的雷達(dá)散射情況，分析了漸變阻抗結(jié)構(gòu)對(duì)金屬與空氣分界面的行波散射的影響；系統(tǒng)地研究了寬頻段內(nèi)水平極化入射電磁波阻抗調(diào)制變量對(duì)表面行波散射的抑制效果，并對(duì)其規(guī)律進(jìn)行了總結(jié)。電磁仿真計(jì)算結(jié)果表明：雷達(dá)...

一種應(yīng)用于溫度傳感器的高PSRR低溫漂帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)————作者：王進(jìn)軍;馮巖;李梓騰;張世奇;段玉博;

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)不能滿足溫度傳感器高性能需求問題，在電壓模帶隙基準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，采用SMIC018工藝設(shè)計(jì)一種可用于溫度傳感器中的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電壓源。利用BJT管電流放大倍數(shù)β與溫度呈近似線性關(guān)系的特性，通過在雙極型晶體管的基極到地之間增加一個(gè)電阻，實(shí)現(xiàn)溫度的二階曲率補(bǔ)償，降低溫漂系數(shù)。與現(xiàn)有的二階溫度補(bǔ)償技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低、補(bǔ)償效果更理想的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)采用PSRR(Power ...

碳和鈦酸鋰共濺射對(duì)鈷酸鋰電化學(xué)性能的影響————作者：鄭志強(qiáng);朱歸勝;徐華蕊;蔣坤朋;趙昀云;陳彩明;

摘要：鈷酸鋰是最早實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的鋰離子電池正極材料之一，在高電壓條件下容易發(fā)生電極結(jié)構(gòu)相變，嚴(yán)重影響其循環(huán)壽命。本研究采用碳和鈦酸鋰共濺射的方法在鈷酸鋰電極片表面形成復(fù)合涂層，以提升其循環(huán)穩(wěn)定性和電化學(xué)性能。研究結(jié)果顯示，在3.0～4.5 V電壓范圍內(nèi)，復(fù)合涂層改性后的鈷酸鋰電極循環(huán)300次后仍保持84.3%的容量保持率。此外，復(fù)合涂層還可以提高鋰離子擴(kuò)散系數(shù)，從而提高電池的倍率性能，當(dāng)電流密度為5C時(shí)，...

銅納米線嵌入對(duì)氧化銦錫薄膜的柔性和導(dǎo)電性提升研究————作者：石和平;閆光輝;于仕輝;

摘要：氧化銦錫(ITO)薄膜是制備新一代柔性透明導(dǎo)電薄膜的關(guān)鍵材料，但差的導(dǎo)電性和機(jī)械柔性限制了其在柔性光電子器件中的實(shí)際應(yīng)用。利用磁控濺射技術(shù)和噴涂工藝相結(jié)合的方法將銅納米線(Cu NW)嵌入到ITO薄膜中，有效提高了ITO薄膜的導(dǎo)電性和機(jī)械柔性。采用掃描電子顯微鏡對(duì)ITO-Cu NW復(fù)合薄膜形貌進(jìn)行了分析，利用紫外可見分光光度計(jì)和四探針測(cè)試儀分別對(duì)ITO-Cu NW復(fù)合薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能進(jìn)行了...

片式鉭電容器肖特基發(fā)射電流的機(jī)理分析————作者：鄧俊濤;鐘山;代東升;胡丹單;余偉;潘齊鳳;

摘要：基于肖特基發(fā)射電流傳導(dǎo)機(jī)制，研究一種測(cè)試方法，能夠推導(dǎo)計(jì)算片式鉭電容器的肖特基勢(shì)壘，并分析肖特基發(fā)射電流的形成原因，進(jìn)而評(píng)估擊穿時(shí)間，通過半定量分析陰極制備雜質(zhì)殘留，提出了片式鉭電容器的一種混合結(jié)構(gòu)模型。結(jié)果表明，MnO₂陰極摻雜樣品組的肖特基勢(shì)壘低，擊穿時(shí)間短；非摻雜組的肖特基勢(shì)壘高，擊穿時(shí)間長(zhǎng)。說明陰極材料中的金屬雜質(zhì)是導(dǎo)致片式鉭電容器高溫漏電流增大乃至擊穿的主要原因。在...

提交