【雜志簡(jiǎn)介】

　　《半導(dǎo)體技術(shù)》以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格，權(quán)威著述，在業(yè)內(nèi)深孚眾望，享譽(yù)中外，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶(hù)開(kāi)拓更大市場(chǎng)，提供技術(shù)成果展示、轉(zhuǎn)化和技術(shù)交流的平臺(tái)，達(dá)到了促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展的目的"是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求，本刊一如既往地堅(jiān)持客戶(hù)至上，服務(wù)第一，竭誠(chéng)向讀者提供多元化的信息。趨勢(shì)與展望：全面闡述半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì);專(zhuān)題報(bào)道：每期就設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、應(yīng)用等企業(yè)關(guān)注的熱門(mén)技術(shù)及焦點(diǎn)論題，進(jìn)行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應(yīng)用：半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和制造及在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用;工藝技術(shù)與材料：介紹最新的半導(dǎo)體技術(shù)制作工藝和該領(lǐng)域用的新材料;集成電路設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)：各種IC的設(shè)計(jì)和應(yīng)用技術(shù)、設(shè)計(jì)工具及發(fā)展動(dòng)向;封裝、測(cè)試與設(shè)備：介紹器件、芯片、電路的測(cè)試、設(shè)備和封裝的前沿技術(shù);MEMS技術(shù)：現(xiàn)代管理：半導(dǎo)體代工廠、潔凈廠房、半導(dǎo)體用水及氣體、化學(xué)品，等管理技術(shù);綜合新聞：及時(shí)發(fā)布世界各地半導(dǎo)體最新產(chǎn)品及技術(shù)信息。《半導(dǎo)體技術(shù)》的稿件來(lái)源于全國(guó)各主要研究機(jī)構(gòu)、大專(zhuān)院校和企事業(yè)單位等。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　中文核心期刊

　　中國(guó)科技論文統(tǒng)計(jì)用刊

　　國(guó)外數(shù)據(jù)庫(kù)收錄：俄羅斯文摘雜志、美國(guó)化學(xué)文摘、英國(guó)物理學(xué)、電技術(shù)、計(jì)算機(jī)及控制信息社數(shù)據(jù)庫(kù)

　　【欄目設(shè)置】

　　欄目主要設(shè)有： 1中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)論壇(綜述)：誠(chéng)邀《半導(dǎo)體技術(shù)》的專(zhuān)家顧問(wèn)發(fā)表精辟觀點(diǎn)和看法;政府主管部門(mén)領(lǐng)導(dǎo)提出政策投資建議。 芯片生產(chǎn)工藝技術(shù)：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術(shù)等。 IC封裝及測(cè)試：國(guó)外先進(jìn)封裝技術(shù)如微間距打線技術(shù);BGA; 疊合式/三維封裝;Quad 封裝等。以及IC測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)測(cè)試等。新材料新設(shè)備：對(duì)半導(dǎo)體支撐材料如納米材料、環(huán)氧膜塑料、硅材料、低介電常數(shù)材料、化合物等及8-12英寸制造設(shè)備、后工序設(shè)備、試驗(yàn)設(shè)備等加以闡述。全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)介紹：圖文并茂的介紹中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業(yè)：(采訪追明星蹤)針對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)的主流企業(yè)進(jìn)行針對(duì)性訪問(wèn)和系統(tǒng)介紹。為供需雙方提供具有參考價(jià)值的范本。新品之窗：對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與材料設(shè)備的新產(chǎn)品予以相關(guān)介紹和推薦設(shè)計(jì)與應(yīng)用 ：嵌入式系統(tǒng)、PLD/FPGA設(shè)計(jì);通信、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、DSP和多媒體應(yīng)用;電源器件、數(shù)字/模擬IC、消費(fèi)類(lèi)/工業(yè)類(lèi)電子器件等應(yīng)用技術(shù)業(yè)界動(dòng)態(tài)：綜合報(bào)道世界半導(dǎo)體行業(yè)最新動(dòng)態(tài)會(huì)議報(bào)道：專(zhuān)門(mén)報(bào)道行業(yè)相關(guān)會(huì)議，傳達(dá)精神，指導(dǎo)工作。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 西門(mén)子解決方案合作伙伴計(jì)劃 637

　　2 硅基自旋注入研究進(jìn)展 盧啟海;黃蓉;鄭礴;李俊;韓根亮;閆鵬勛;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s時(shí)間交織流水線A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 楊陽(yáng);張科峰;任志雄;劉覽琦; 647-652+662

　　4 低頻低功耗無(wú)源RFID模擬前端設(shè)計(jì)與分析 林長(zhǎng)龍;孫欣茁;郭振義;李國(guó)峰;梁科;王錦; 653-657

　　5 一種高頻E類(lèi)功率放大器設(shè)計(jì)方法 劉超;陳鐘榮; 658-662

　　6 GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管不同極性ESD損傷機(jī)理 林麗艷;李用兵; 663-666

　　7 pH值對(duì)低磨料堿性銅拋光液穩(wěn)定性的影響 秦然;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇;武鵬;王娟; 667-670+710

　　8 高濃度臭氧超凈水制備及在硅片清洗中的應(yīng)用 白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等離子體刻蝕多種磁性金屬疊層 劉上賢;汪明剛;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子點(diǎn)邊緣結(jié)構(gòu)和形貌的第一性原理計(jì)算 沈濤;梁培;陳欣平;歷強(qiáng); 679-683

　　11 TSV封裝通孔形態(tài)參數(shù)對(duì)焊點(diǎn)熱疲勞壽命的影響 張翼;薛齊文;劉旭東; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圓片級(jí)封裝焊點(diǎn)剪切力研究 奚嘉;陳妙;肖斐;龍欣江;張黎;賴(lài)志明; 692-698

　　13 點(diǎn)燃產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新之火,IC China推動(dòng)FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展 698

　　14 基于可控電流源的太陽(yáng)電池模型參數(shù)測(cè)試方法 張淵博;韓培德;卓國(guó)文; 699-705

　　15 用于監(jiān)測(cè)硅片應(yīng)力的紅外光彈儀 蘭天寶;潘曉旭;蘇飛; 706-710

　　16 HTCC工藝通用自動(dòng)上下料系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 張超;鄭宏宇;李陽(yáng); 711-717

　　17 第一次征稿通知 第11屆國(guó)際專(zhuān)用集成電路會(huì)議 718-719

　　18 2015’全國(guó)新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)會(huì)議通知 720

　　中國(guó)廣播電視學(xué)刊投稿：控制理論和控制工程的發(fā)展與應(yīng)用分析

　　摘 要 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷完善和發(fā)展，控制工程與控制理論也得到了不斷的完善，控制理論和控制工程被廣泛應(yīng)用于各大企業(yè)系統(tǒng)生產(chǎn)中。在本篇文章里，筆者在控制工程與控制理論的基礎(chǔ)知識(shí)理論上，對(duì)控制工程與控制理論的相關(guān)歷史發(fā)展階段進(jìn)行研究，并且分析了控制理論和控制工程的應(yīng)用，以期望能夠?yàn)榭刂葡到y(tǒng)的發(fā)展以及相關(guān)研究提供有用的參考依據(jù)。

　　關(guān)鍵詞 控制理論和控制工程,發(fā)展,應(yīng)用

　　控制理論雖然起源于英國(guó)18世紀(jì)的技術(shù)革命時(shí)期，但是卻在二十一世紀(jì)被廣泛應(yīng)用。隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，控制理論和控制工程被廣泛的應(yīng)用于相關(guān)工程企業(yè)當(dāng)中。在本篇文章里，筆者不僅分析了控制理論和控制工程的發(fā)展，還探索了控制理論和控制工程的應(yīng)用前景。

　　半導(dǎo)體技術(shù)最新期刊目錄

硅通孔互連結(jié)構(gòu)熱-機(jī)械可靠性研究進(jìn)展————作者：董子萱;倉(cāng)冬青;趙繼聰;孫海燕;張凱虹;

摘要：高性能計(jì)算（HPC）和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的高速發(fā)展推動(dòng)了封裝技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)更高集成度和更小型化電子設(shè)備的需求日益旺盛。傳統(tǒng)的2D封裝技術(shù)在滿足市場(chǎng)對(duì)芯片高性能和功能多樣化方面顯露出局限性，而2.5D封裝作為一項(xiàng)補(bǔ)充技術(shù)，已成為提升芯片性能和集成度的重要解決方案之一。因此，硅通孔（TSV）作為2.5D封裝中的核心組成部分，其互連結(jié)構(gòu)的可靠性對(duì)2.5D封裝的性能和壽命有直接影響。以TSV的制作工藝及其潛...

強(qiáng)韌一體性Cu/Sn/Ag致密三維網(wǎng)絡(luò)狀接頭結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備————作者：張宏輝;徐紅艷;張煒;劉璇;

摘要：為滿足大功率電力電子器件耐高溫、高可靠性芯片焊接需求，解決Cu/Sn/Ag體系瞬態(tài)液相擴(kuò)散焊接（TLPS）接頭脆性大、韌性不足、孔隙率高等問(wèn)題，通過(guò)電鍍高純度Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合粉末，物理氣相沉積鍍覆Ag層，研究了Sn鍍層厚度對(duì)接頭強(qiáng)度和孔隙率的影響、Ag鍍層厚度對(duì)TLPS接頭抗氧化性能和韌性的影響。結(jié)果表明，電鍍Sn層厚度為2～3 μm時(shí)接頭本體相孔隙率最低，抗拉強(qiáng)度達(dá)到86 MPa；Cu/S...

一種基于數(shù)字修調(diào)的高精度運(yùn)算放大器————作者：張益翔;李文昌;阮為;賈晨強(qiáng);張子歐;張?zhí)煲?劉劍;

摘要：設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款基于數(shù)字修調(diào)技術(shù)的高精度運(yùn)算放大器，其整體電路包括偏置電路、放大器電路、數(shù)字修調(diào)電路以及靜電放電（ESD）保護(hù)電路。放大器的輸入差分對(duì)管工作在亞閾值區(qū)，偏置電流設(shè)計(jì)為正溫度系數(shù)(PTAT)電流，使得放大器輸入級(jí)具有恒跨導(dǎo)。提出了一種失調(diào)電壓修調(diào)結(jié)構(gòu)，通過(guò)共模檢測(cè)模塊判斷產(chǎn)生失調(diào)的差分對(duì)管，并由熔絲陣列控制數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)差分對(duì)管電流的精確補(bǔ)償，并有效減小失調(diào)電...

柔性銅鋅錫硫硒薄膜太陽(yáng)能電池研究進(jìn)展————作者：花浩;孫孿鴻;趙宇;龐楚瀧;

摘要：銅鋅錫硫硒(Cu₂ZnSn（S，Se）₄，CZTSSe)具有組成元素豐富、環(huán)境友好和理論光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，是一種具有大規(guī)模應(yīng)用潛力的新型光伏材料。相比剛性襯底，柔性CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池具有質(zhì)輕和可彎折的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在光伏建筑一體化、柔性可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。從柔性襯底、殘余應(yīng)力、制備方法、摻雜、界面工程等方面對(duì)柔性CZTSSe薄膜太陽(yáng)...

SiC MOS電容氧化層界面缺陷鈍化效果分析方法————作者：胡燦博;劉俊哲;劉起蕊;尹志鵬;崔鵬飛;王德君;

摘要：SiC MOS器件的柵氧界面缺陷嚴(yán)重影響其性能。采用X射線光電子能譜（XPS）和二次離子質(zhì)譜（SIMS）技術(shù)，識(shí)別了SiC MOS電容中的SiO_xC_y和C—C缺陷及其元素分布，并結(jié)合文獻(xiàn)數(shù)據(jù)確定了這些缺陷的能級(jí)位置，同時(shí)計(jì)算了其相應(yīng)的時(shí)間常數(shù)。研究表明，這些缺陷的形成與氧元素缺乏密切相關(guān)，氧原子或離子因具有較強(qiáng)的穿透性，可有效消除這些缺陷。為優(yōu)化樣品性能...

一種基于兩步式SAR ADC架構(gòu)的智能溫度傳感器————作者：曹亦棟;陳雷;初飛;李建成;張健;李全利;

摘要：針對(duì)高速接口芯片的局部結(jié)溫監(jiān)測(cè)問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種基于兩步式逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（SAR ADC）的片上智能溫度傳感器，該傳感器可配合上位機(jī)實(shí)現(xiàn)對(duì)全芯片溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，并輸出數(shù)字溫度碼。電路對(duì)橫向pnp三極管的基極-發(fā)射極電壓進(jìn)行采樣，通過(guò)溫度監(jiān)測(cè)模塊進(jìn)行量化比較。電路采用了兩步式SAR ADC進(jìn)行10 bit數(shù)字溫度碼的轉(zhuǎn)換輸出，兩步式SAR ADC通過(guò)調(diào)節(jié)電阻陣列實(shí)現(xiàn)粗量化，調(diào)節(jié)比較器輸入管陣列進(jìn)...

可調(diào)諧MEMS-VCSEL微橋梁制備及其應(yīng)力的影響————作者：朱魯江;孫玉潤(rùn);張琪;于淑珍;董建榮;

摘要：針對(duì)微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）中靜電驅(qū)動(dòng)微橋梁結(jié)構(gòu)制備工藝開(kāi)展研究，旨在制備平直的懸空微橋梁結(jié)構(gòu)，并通過(guò)工藝優(yōu)化提高其可靠性。利用干法刻蝕和濕法腐蝕相結(jié)合的方法刻蝕Ge犧牲層，這種方法既能夠防止?jié)穹ǜ�蝕橫向刻蝕過(guò)多，還可以提高Ge和底部電極Ti的刻蝕比。通過(guò)XeF₂氣體干法刻蝕去除剩余的Ge以釋放微橋梁結(jié)構(gòu)，避免濕法腐蝕釋放造成的微橋梁結(jié)構(gòu)與...

金-鋁鍵合界面空洞生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究————作者：陳柏雨;王波;可帥;黃偉;劉崗崗;潘開(kāi)林;

摘要：為探究金-鋁鍵合界面處空洞的演化與焊盤(pán)厚度的關(guān)系，通過(guò)實(shí)驗(yàn)、仿真模擬和理論分析相結(jié)合的方法對(duì)金絲和鋁焊盤(pán)鍵合點(diǎn)空洞的生長(zhǎng)進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，2～3 μm厚Al/0.5%Cu鋁焊盤(pán)上采用99.99%金絲鍵合的樣品在300 ℃下貯存24 h后，鍵合界面處產(chǎn)生的空洞數(shù)量與鋁焊盤(pán)厚度呈正相關(guān)關(guān)系，該結(jié)果與基于編程軟件的元胞自動(dòng)機(jī)仿真預(yù)測(cè)結(jié)果高度一致�？斩吹男纬梢�(guī)律符合引入濃度梯度后的金屬擴(kuò)散理論，即...

超寬禁帶半導(dǎo)體Ga₂O₃功率器件、紫外光電器件的新進(jìn)展————作者：趙正平;

摘要：在電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源應(yīng)用和發(fā)展的帶動(dòng)下，寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)成為新一代產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主流，而有可能成為下一代電力電子學(xué)發(fā)展的超寬禁帶半導(dǎo)體材料金剛石、Ga₂O₃和AlN已成為目前前瞻性的科研熱點(diǎn)，其中Ga₂O₃在這三種半導(dǎo)體材料中具有單晶尺寸發(fā)展最快、成本最低和功率二極管性能已接近工程化等特點(diǎn)...

一種TTL電平控制的間接加熱式相變材料射頻開(kāi)關(guān)————作者：劉宗岱;廖龍忠;趙慧豐;陳南庭;何慶國(guó);

摘要：研制了一款晶體管-晶體管邏輯(TTL)電平控制的GeTe材料相變射頻開(kāi)關(guān)芯片。該芯片采用間接加熱方式設(shè)計(jì)，使用高阻硅作為襯底材料、鎢金屬層作為間接加熱微結(jié)構(gòu)、AlN材料作為阻擋層，以提高熱傳導(dǎo)效率，并使用CAD優(yōu)化結(jié)構(gòu)尺寸；選擇合適的電源控制芯片控制脈沖信號(hào)的幅度和寬度，將開(kāi)啟和關(guān)斷脈沖分別降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。測(cè)試結(jié)果表明，開(kāi)關(guān)芯片的開(kāi)關(guān)電阻比為1.86×10～...

基于改進(jìn)YOLOv8網(wǎng)絡(luò)模型的芯片BGA缺陷檢測(cè)————作者：陳澍元;王鳴昕;趙嘉寧;蔣忠進(jìn);

摘要：為提高芯片球柵陣列(BGA)缺陷檢測(cè)的精度和效率，提出一種基于改進(jìn)YOLOv8網(wǎng)絡(luò)模型的芯片BGA缺陷檢測(cè)方法。該方法以常規(guī)YOLOv8網(wǎng)絡(luò)模型為基礎(chǔ)，在骨干網(wǎng)絡(luò)中引入雙層路由注意力(BRA)機(jī)制，以增強(qiáng)模型捕捉長(zhǎng)程依賴(lài)和復(fù)雜特征的能力；在檢測(cè)頭網(wǎng)絡(luò)中引入雙標(biāo)簽分配策略，從而省略耗時(shí)的非極大值抑制(NMS)運(yùn)算，以提高模型檢測(cè)速度；此外，引入Focaler-Wise IoU邊框回歸損失函數(shù)，以提高...

塑封SiC功率器件在高溫?fù)p耗功率下的熱應(yīng)力和斷裂分析————作者：傅朝;王珺;

摘要：塑封SiC功率器件是新能源汽車(chē)電力電子技術(shù)的核心，其在高溫環(huán)境、高功率下工作的可靠性是關(guān)鍵問(wèn)題。對(duì)具有頂部散熱結(jié)構(gòu)的塑封SiC功率器件，考慮高溫環(huán)境下芯片的損耗功率，利用有限元分析(FEA)研究了熱應(yīng)力分布，并采用虛擬裂紋閉合技術(shù)(VCCT)分析了塑封器件的界面斷裂問(wèn)題。結(jié)果表明，塑封器件熱應(yīng)力集中在芯片和焊料層界面，較薄的芯片和適當(dāng)增厚的焊料層可有效降低界面的斷裂風(fēng)險(xiǎn)；當(dāng)預(yù)裂紋長(zhǎng)度超過(guò)100μm...

埋入式晶圓級(jí)封裝芯片翹曲有限元仿真及參數(shù)敏感性分析————作者：吳道偉;李賀超;李逵;張雨婷;代巖偉;秦飛;

摘要：作為系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的關(guān)鍵技術(shù)之一，芯片埋置技術(shù)在提高I/O接口數(shù)量方面發(fā)揮著重要作用。伴隨加工工藝溫度變化，埋置芯片產(chǎn)生一定程度的翹曲，導(dǎo)致后續(xù)鋪層的破損，使產(chǎn)品良率降低。針對(duì)埋入式晶圓級(jí)封裝芯片在加工過(guò)程中的翹曲行為進(jìn)行了模擬和研究。采用均勻化等效建模進(jìn)行了有限元模擬，并結(jié)合輸入?yún)��?shù)變化和正交實(shí)驗(yàn)分析，研究了材料的彈性模量對(duì)芯片翹曲的影響。研究結(jié)果表明，芯片粘結(jié)薄膜(DAF)和鈍化層(PL...

故障電壓誘發(fā)的功率模塊溫升規(guī)律————作者：劉瑋琳;霍思佳;樂(lè)應(yīng)波;楊程;崔昊楊;

摘要：故障電壓引發(fā)的功率畸變誘發(fā)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)溫瞬變，但此過(guò)程的普遍規(guī)律、關(guān)聯(lián)機(jī)制尚未明確，限制了故障電壓穿越期變流器中IGBT熱管理策略的針對(duì)性與有效性。通過(guò)模擬多種電壓故障場(chǎng)景，探究了故障電壓誘發(fā)的機(jī)網(wǎng)兩側(cè)變流器功率模塊溫升規(guī)律，梳理了故障電壓條件下IGBT結(jié)溫演化過(guò)程，明確了故障電壓與IGBT結(jié)溫的關(guān)聯(lián)機(jī)制。研究結(jié)果表明，結(jié)溫峰值與電壓跌落程度呈顯著正相關(guān)，電壓驟降引發(fā)轉(zhuǎn)子電流劇增...

晶圓鍵合GaAs/InGaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池————作者：蔣卓宇;李娟;孔祥力;代盼;孫強(qiáng)健;

摘要：為了避免直接外延生長(zhǎng)引起晶格失配問(wèn)題，利用晶圓鍵合技術(shù)開(kāi)發(fā)了GaAs/InGaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池。采用金屬固態(tài)源分子束外延(MBE)生長(zhǎng)方法，在GaAs襯底上生長(zhǎng)GaAs頂電池，在InP襯底上生長(zhǎng)InGaAs底電池。通過(guò)晶圓鍵合技術(shù)將這些子電池鍵合在一起，制備了晶圓鍵合GaAs/InGaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池。測(cè)試結(jié)果顯示，通過(guò)晶圓鍵合技術(shù)制備的雙結(jié)太陽(yáng)電池具有較低的電損耗，在聚光下獲得了超過(guò)31.7%的...

175 ℃反激式高溫直流開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)————作者：劉建國(guó);楊依忠;丁瀚;

摘要：為滿足極限環(huán)境下電源系統(tǒng)小型化、耐高溫、高可靠性的要求，設(shè)計(jì)了一種基于單端反激拓?fù)涞母綦x型直流穩(wěn)壓電源。針對(duì)傳統(tǒng)印刷電路板（PCB）高溫電源體積大、散熱差的局限性，采用厚膜工藝，優(yōu)選高液相點(diǎn)焊接材料，優(yōu)化殼體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以達(dá)到充分散熱效果。選用TI公司的UC1843高溫型脈寬調(diào)制器作為主控芯片，控制輸出高頻脈沖驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)管，通過(guò)變壓器功率變換把能量傳遞到次級(jí)。測(cè)試結(jié)果表明，該電源模塊的轉(zhuǎn)換效率在滿...

基于查找表均衡的高速SerDes發(fā)送端設(shè)計(jì)————作者：陶保明;張春茗;任一凡;戢小亮;

摘要：為使高速串行器/解串器（SerDes）發(fā)送端具有更大的均衡靈活性，采用UMC 28 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種基于數(shù)字信號(hào)處理（DSP）-數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）結(jié)構(gòu)的高速SerDes發(fā)送端。通過(guò)將發(fā)送端中前饋均衡功能以查找表（LUT）形式集成至DSP中，靈活應(yīng)對(duì)了信道高頻損耗嚴(yán)重和信號(hào)完整性問(wèn)題，并簡(jiǎn)化了全定制電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度；其主體結(jié)構(gòu)包括DSP、溫度編碼器、重定時(shí)器、32:4多路復(fù)用器（MUX...

橫向結(jié)構(gòu)壓接IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)及其寄生電感抑制————作者：袁文遷;季一潤(rùn);楊敏祥;槐青;袁茜;郝震;劉鐵城;

摘要：傳統(tǒng)的縱向結(jié)構(gòu)壓接IGBT（PPI）測(cè)試平臺(tái)的疊層母排區(qū)域互感較強(qiáng)，但PPI與回流銅排的互感較弱，同時(shí)無(wú)法對(duì)被測(cè)和陪測(cè)器件分別施加不同的機(jī)械壓力和溫度。針對(duì)這一問(wèn)題，研制了一種新型橫向結(jié)構(gòu)測(cè)試平臺(tái)，通過(guò)改變IGBT周邊區(qū)域電流分布，增強(qiáng)互感，使該區(qū)域寄生電感值降低了36.9%，有效降低了回路總寄生電感值。且通過(guò)將被測(cè)IGBT和陪測(cè)器件并排布置，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)IGBT和陪測(cè)續(xù)流二極管（FWD）施加不...

IGBT相變冷板的設(shè)計(jì)和數(shù)值模擬————作者：潘子升;周俊屹;余時(shí)帆;胡桂林;

摘要：針對(duì)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊散熱中功率密度高且散熱負(fù)荷隨工況變化的問(wèn)題，基于制冷劑對(duì)流散熱和蒸發(fā)潛熱的微通道沸騰相變散熱技術(shù)可對(duì)IGBT芯片進(jìn)行有效散熱，建立了三維、偽瞬態(tài)算法穩(wěn)態(tài)和體積分?jǐn)?shù)法（VOF）相變的綜合數(shù)學(xué)模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三種相變制冷劑在單塊IGBT微通道沸騰相變散熱器中的散熱性能；在單塊的基礎(chǔ)上進(jìn)行了多片IGBT串聯(lián)、并聯(lián)、串并聯(lián)三種不同流...

全溶液法制備PAA/SU-8雙層電介質(zhì)OFET及其性能————作者：江紫玲;朱睿;張婕;

摘要：有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）因其低成本和優(yōu)異的可兼容特性，是柔性電子領(lǐng)域的重要器件。通過(guò)構(gòu)建聚丙烯酸（PAA）/SU-8雙層介電結(jié)構(gòu)，結(jié)合全溶液法制備了基于6，13-雙(三異丙基硅烷基乙炔基)（TIPS）-并五苯半導(dǎo)體層的OFET。通過(guò)原子力顯微鏡（AFM）和接觸角測(cè)量?jī)x分析表面特性，PAA/SU-8雙層薄膜均方根（RMS）粗糙度（0.284 nm）較純PAA薄膜（2.77 nm）顯著降低，表面接...

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