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微波學報

所屬欄目:核心期刊 更新日期:2025-05-02 03:05:28

微波學報

微波學報

CSCD北大核心

Journal of Microwaves

期刊周期:雙月
出版地:江蘇省南京市
復合影響因子:1.051
綜合影響因子:0.634
官網:http://wbxb.xml-journal.net/
主編:周志鵬
平均出版時滯:189.1441

  微波學報最新期刊目錄

多模諧振零向頻率掃描天線研究進展————作者:冒小慧;呂文俊;季飛燕;祝雷;

摘要:全面總結了零向掃描天線的發展歷程和重要突破,深入剖析零向掃描天線的設計原理并進行分類比較。結合零向頻率掃描天線的系列設計實例,詳細介紹了多模諧振零向頻率掃描天線的研究現狀、數理機制和設計方法。最后探討了零向頻率掃描天線的可能發展方向和應用場景,用于指導該領域的工程設計和科學研究

太赫茲寬帶倍頻源關鍵技術研究————作者:陳思宇;姚常飛;翁律濤;王昊;王文偉;

摘要:針對175~250 GHz十二倍頻源的應用需求,設計了一款基于肖特基二極管的寬帶三倍頻器。通過場路結合的方法對三倍頻器進行了仿真優化,并采用熱仿真分析的方法模擬二極管實際工作狀態下的結溫,從而對二極管電參數進行修正,降低了15%的仿真誤差。仿真結果表明,在輸入功率為50 mW時,三倍頻器在165~270 GHz頻率范圍內倍頻效率大于2.6%,在207 GHz處達到最高倍頻效率3.2%。測試結果表明...

基于E面魔T合成技術的D波段2W固態功率放大器————作者:姚常飛;董文超;

摘要:針對高頻頻段發射機輸出功率不夠大的問題,本文基于一種新型多節階梯阻抗變換的E面波導魔T合成技術,研制了一款D波段固態功率放大器。該固態功放采用兩級驅動放大和四路功率分配/合成結構,對氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)功率放大芯片的輸出信號進行合成。經實物測試,該功放在155 ~ 165 GHz的工作頻帶內,能夠實現大于2 W的連續波輸出,合成效率達到75%以上。在160 GHz和161 ...

微波熱采技術傳輸能耗的再利用探索研究————作者:劉濤;楊豪杰;

摘要:微波采油技術具有高效、節能等優點,本文采用油管與套管結合的同軸系統進行微波能傳輸,根據國內常用的油套管規格,結合同軸理論選出了一種性能優良的油套管組合方案。由于油套管材質的非理想性,微波能的傳輸損耗不可避免,進而提出了一種利用微波傳輸過程中損耗的能量加熱稠油的辦法,通過仿真得出的溫升曲線與理論模型相互印證。并通過不同時刻的油管溫度曲線對比,發現在給定微波功率條件下,油套管損耗所產生的熱量完全可以用...

雙頻自解耦共極化帶內全雙工天線————作者:馬超駿;錢蓉蓉;

摘要:共極化帶內全雙工(IBFD)天線解耦通常需要設計復雜的解耦結構,導致天線制造不便,對誤差敏感,并且大多只能實現單頻解耦。本文針對上述問題,提出了一種基于縫隙天線高階模式疊加的自解耦技術。該技術通過控制縫隙天線相鄰高階模式疊加,合成特定的天線近場分布,該近場分布可以使IBFD天線收、發端口分別位于強場和弱場區域,從而在無需添加任何額外解耦結構的情況下天然地實現收、發端的解耦。該技術還可以推廣到多組高...

一種改進的液體電磁參數自由空間測量方法————作者:黃丘林;劉丹;曹如潔;鐘楊帆;

摘要:針對液體毫米波頻段寬帶電磁參數測量的需求,論文提出了一種改進的自由空間測量方法。在本方法中,接收和發射喇叭被安裝在儲液槽上方的遠場位置,通過時域窗抑制干擾信號,使接收信號更純凈。利用待測液體兩種深度下散射參數S21的相位和幅度計算待側液體介電常數和損耗角正切。與傳統自由空間法相比,本方法可消除系統固有誤差對液體電磁參數測試結果的干擾,避免儲液槽側壁帶來的影響,同時還可以方便地...

基于基片集成同軸線的雙極化縫隙天線陣列————作者:李品天;何翼景;孫厚軍;

摘要:本文提出了一款應用于毫米波頻段的基于基片集成同軸線(SICL)的8×8雙極化縫隙天線陣列。傳統的毫米波雙極化陣列的饋電網絡采用垂直堆疊的方式,具有較高的剖面和加工成本。所提出的新型饋電網絡利用SICL的雙模復合特性,通過設計同軸模式到腔體模式的轉換結構和雙模功分網絡來激發陣列的雙極化輻射。該結構實現了雙極化饋電網絡在同一層內的集成并保持較高的隔離度,有效的降低了天線的剖面。測試結果表明,該天線陣列...

基于二維漏波天線的受限空間電波覆蓋研究與優化————作者:霍興瀛;李錚;

摘要:本文基于受限空間電波覆蓋存在的問題及發展需求,對一種新型二維平面周期漏波天線的傳播特性與輻射特性進行了研究,并利用射線追蹤法,計算和分析其在隧道中的電波覆蓋性能。該新型漏波天線由一組接地的輻射狀的同心金屬圓環及中心圓片組成,利用探針對中心金屬圓片饋電,設計介質基片結構尺寸使天線產生基模TM0模,再利用上表面周期性微帶條對表面波進行擾動從而產生漏波輻射。文章給出了天線傳播常數及...

電介質材料的TnR校準自由空間法測量技術————作者:郝若瑾;趙健良;吳昌英;

摘要:在自由空間法理論的基礎上,設計了提取電介質材料介電常數的測量系統。測量系統采用多反射-直通(TnR)校準技術,其中8個不同的校準定位塊和一塊金屬板組成8個反射標準,測量空氣本身作為1個直通標準。利用得到的反射標準和直通標準求解多組誤差矩陣,最后通過平均法得到最優的一組誤差矩陣。與時域門技術相比,基于TnR校準的自由空間法測量技術避免了由于傅立葉變換而導致頻率范圍兩端測量結果不準確的問題,提高了測量...

D波段十六像元直檢式接收機設計及成像實驗————作者:沈寧;陳振華;王曉燕;姚常飛;

摘要:研制了一種D波段多像元直檢式接收機,接收機包含16個檢測單元,以4×4架構布局。每個檢測單元集成天線、低噪聲放大、功率檢波、檢波后處理以及低噪聲電源管理電路,具有集成度高、通道擴展方便的特點。在完成方案論證、電路設計、模塊制作以及檢測單元電性能測試的基礎上,利用具有不同透波圖形的平板進行了成像實驗,針對通道間不一致性導致的成像模糊問題,采取數據預失真方法進行校正。整個接收機工作頻率覆蓋110-17...

一種雙圓極化超表面天線設計————作者:劉巾軍;李夢潔;施秉權;楊國;齊世山;

摘要:雙圓極化天線憑借其有效減小多徑效應、減少極化損耗、增大信道容量等優勢,在無線通信領域被廣泛使用。本文提出了一種雙圓極化超表面天線,并給出了如何修正超表面結構實現圓極化性能的設計流程。首先通過特征模分析原始超表面結構本身的物理屬性,根據特征電流分布改變超表面的結構,在工作頻帶內得到兩個簡并的特征模式;其次在選定的位置布局交叉垂直的微帶饋線,利用槽耦合饋電的方式激勵具有90°的相位差以及相同的激勵幅度...

《微波學報》征稿通知——電磁防護專題

摘要:<正>電磁空間作為獨立于陸、海、空、天之外的第五維空間,是一切電子信息設備賴以工作并發揮效能的基礎物理空間,直接關系到整個國家的安全與穩定。當前,強電磁源生成技術的發展導致電磁空間日益復雜,世界各國已將強電磁攻擊引發的電磁安全問題上升為國家戰略。為此,我國近年來已將電磁場與電磁環境效應列為影響國家安全的重大基礎性問題,不斷提高對于電磁安全與電磁防護的重視程度。隨著電磁能量耦合途徑的愈發復雜、新型電...

《微波學報》投稿指南

摘要:<正>本編輯部于2011年啟用網上投稿系統。為便于稿件管理、處理和查詢,請作者使用《微波學報》網上投稿系統在線投稿。1.投稿內容范圍(1)微波場論及數值計算;(2)微波網絡;(3)微波元件及電路;(4)毫米波及亞毫米波技術;(5)微波天線與散射;(6)微波集成電路;(7)微波CAD;(8)微波電磁兼容;(9)微波測量;(10)微波生物醫藥;(11)微波在軍事領域及工農業生產上的應用;(12)有關交...

6 GHz~18 GHz超寬帶小型化固態功放————作者:呂剛;宋玉清;

摘要:超寬帶固態功放在大功率合成、高熱流密度散熱及輕量小型化上存在相互制約的矛盾關系,文中基于脊波導H面T型功分/合成及波同阻抗變換拓撲架構,實現了6 GHz~18 GHz超寬帶4路12 W(典型值)波導合成輸出≥40 W、合成效率≥90%,并以標準波導口WRD500D36為射頻端面,便于系統二次高效合成。結構采用鋁嵌銅工藝,在高熱源下方局部埋銅,在滿足功放芯片高熱流密度散熱的同時又使得整體質量相比于純...

基于GaN功放的X波段120 W發射組件設計————作者:王浪;呂高慶;王朝陽;

摘要:文中采用三級功率放大電路拓撲結構,利用氮化鎵(GaN)微波功放管,通過設計功放射頻電路與控制保護電路實現了X波段高增益120 W發射組件的研制。主要對發射組件內部的射頻電路展開了深入的研究,具體包括:高隔離GaN功放偏置電路、GaN功放腔體諧振仿真、高方向性微帶定向耦合器以及小型化微帶階躍變換電路。發射組件測試結果表明,X波段80 MHz頻率范圍內,在輸入功率為10 dBm、25μs脈寬、2%占空...

基于GaN HEMTs的射頻功放芯片電熱耦合仿真方法研究————作者:婁旭烽;王健;夏銀水;

摘要:射頻功率放大器芯片中采用的氮化鎵高電子遷移率晶體管具有高功耗特性,該特性將導致芯片出現嚴重的自熱效應,從而導致其性能下降。為更加精確地分析器件自熱效應產生的影響,文中提出了一種有效的器件芯片電熱耦合協同仿真方法。該方法將器件電分析模型與溫度分析模型進行物理耦合,建立相應的電、熱耦合方程,通過觀察器件的溫度變化及相應的電流性能變化,進一步根據器件電流、電壓特性計算熱源,將功率器件作為熱源并使用有限元...

基于GaN芯片的寬帶170 GHz~260 GHz放大器模塊————作者:劉廣儒;張勇;朱華利;延波;

摘要:本文設計了一款基于氮化鎵芯片的170 GHz~260 GHz固態放大器模塊。該模塊采用波導-共面波導過渡結構,通過在標準矩形波導中插入楔形波導膜片來實現高緊湊的低損耗過渡。仿真結果表明,該過渡在整個波導頻帶內回波損耗優于20 dB,插入損耗小于0.12 dB。此外還在輸入輸出法蘭處引入扼流槽結構,以實現對模塊級聯可能存在的信號泄露進行抑制。實際測試結果表明,該放大器模塊在170 GHz~260 G...

適用于G波段超構表面行波管的多注電子槍研究————作者:孫世昭;鄒建軍;江勝坤;陳旭媛;王戰亮;宮玉彬;段兆云;

摘要:G波段超構表面行波管具有天然的雙電子注通道,電子注可以在超構表面兩側傳輸,和超構表面的局域增強電場進行注波互作用,可提高G波段行波管的輸出功率和效率。本文研究了一支適用于G波段超構表面行波管的多注電子槍,其采用八個相同的圓形陰極構成雙排陣列,以產生雙排多電子注,同時設計了一種三級聚焦極,使雙排多電子注聚焦并與電子注通道適配。模擬結果表明,當注電壓為24.6 kV、陰極半徑為0.15 mm時,總注電...

TE30高次模式工作改進型交錯柵結構及互作用結構————作者:劉金亮;張長青;趙士錄;蔡軍;馮進軍;

摘要:隨著行波管的工作頻段不斷向太赫茲頻段發展,尺寸共渡效應的影響越來越明顯,主要表現為慢波結構的橫向尺寸和電子注通道的寬度不斷減小,不僅造成了加工工藝難度的提升,也導致了工作電流的減小以及耦合阻抗的下降,嚴重影響了行波管性能,而工作在高次模式的過模行波管能有效解決這一問題。文中研究了過模交錯柵的工作特性,并針對低次模式競爭及返波振蕩等問題,提出了一種改進型交錯柵。該結構工作在高次TE30

基于碳納米管冷陰極的帶狀注柵控電子槍————作者:黃博文;王少哲;陳旭媛;柳建龍;袁學松;呂志方;鞏華榮;宮玉彬;段兆云;

摘要:碳納米管冷陰極具有良好的場致發射特性,在行波管的電子槍中具有潛在的應用前景。文中基于場致發射理論,研究了一支適用于G波段行波管的碳納米管冷陰極帶狀注柵控電子槍。該電子槍由陰極、陰影柵、控制柵、聚焦極和陽極組成。陰極發射面為橢圓形,橢圓長半軸長度為0.8 mm,短半軸長度為0.4mm,兩個柵極的開孔形狀均為方格網狀,而聚焦極通道形狀為橢圓形,可以將電子注進一步壓縮為帶狀注。文中分析了電子槍中電場分布...

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