【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內唯一一本全面報道封裝與測試技術、半導體器件和IC設計與制造技術、產品與應用以及前沿技術、市場信息等的技術性刊物,是中國電子學會生產技術學分會(電子封裝專業)會刊、中國半導體行業協會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網來源刊

　　【欄目設置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設計與測試、器件與制造、支撐技術、產品、應用與市場。

　　雜志優秀目錄參考：

　　有關QFN72和CQFN72的熱阻計算 賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復合封裝基板的制備 李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究 黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法 趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設計 徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準電流源電路設計 黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環頻率合成器 楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術的FPGA開發平臺設計 張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究 鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術的研究 朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數穩定性控制方法 王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應仿真研究 高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設計可靠性研究 王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應用分析

　　摘 要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質中，通過發生反應對金屬的內部結構有更好的認識，與機械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產生的雜質，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應用進行了簡要分析。

　　關鍵詞：管理科學,不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內部結構的物理或化學狀態，反映金相的具體形態叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機械法以及電解法等。人工法現在已很少用，機械法因為需要進行拋光，往往會在磨光面上出現一些雜質，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

凹腔-凸肋復合結構微通道換熱性能優化及聲波調控機制研究————作者：高星宇;趙張馳;魏俊杰;朱旻琦;于宗光;孫曉冬;江飛;區炳顯;王艷磊;魏寧;

摘要：微通道散熱器是高功率密度器件熱管理的有效解決方案，本研究基于凹腔結構與凸肋特征耦合排布的優化策略，設計了三種二維微通道構型。研究在維持可接受壓降損失的前提下，通過增強流動擾動實現綜合換熱效能的提升，并與傳統二維光滑直通道開展對比分析。采用數值模擬方法，系統研究了不同微通道的流場特性、傳熱機制及熱力學綜合性能。研究結果表明：錯列式半圓肋腔微通道（MC-SCSR）展現出最優換熱效能，其綜合性能評價因子...

氮化鎵基傳感器研究進展————作者：劉詩旻;陳佳康;王霄;郭明;王利強;王鵬超;宣艷;繆璟潤;朱霞;白利華;尤杰;陳治偉;劉璋成;李楊;敖金平;

摘要：在科技飛速發展的當下，傳感技術作為現代信息獲取的關鍵，不斷向高靈敏度、微型化和多功能化的方向邁進。氮化鎵材料具高電子遷移率、寬能帶隙、良好的化學穩定性等，在感知力學信號、識別化學離子、探測生物分子和檢測氣體等方面表現卓越。為實現高靈敏度、高選擇性和快速響應的檢測提供了新的解決方案。總結了氮化鎵基傳感器在力學、氣體、化學、生物領域的最新研究進展，闡述其結構設計與制備工藝，分析了其在不同應用場景中的優...

真空加熱爐溫度均勻性提升研究————作者：徐星宇;李早陽;史睿菁;王成君;王君嵐;羅金平;金雨琦;朱帆;張輝;

摘要：針對電子器件熱處理常用的晶圓鍵合臺真空加熱爐，建立了三維熱量傳遞數值仿真模型，研究了爐體內部的熱量傳遞與溫度分布規律，評估了加熱爐的溫度均勻性并提出了能夠顯著提升溫度均勻性的保溫環結構與高導熱材料設計方案。研究結果表明，造成加熱爐加熱面溫度分布不均的原因是加熱絲的非中心對稱布置和加熱面邊緣的漏熱現象，在加熱面邊緣布置保溫環或加熱盤材料使用碳化硅陶瓷時，面溫度非均勻性由3.2%分別提升至2.5%和1...

基于晶圓級鍵合技術的傳感器封裝研究進展————作者：貝成昊;喻甜;梁峻閣;

摘要：傳感器作為信息感知的核心組件，對封裝高集成度與環境適應性提出了更高要求。晶圓級鍵合技術是晶圓級封裝的一項關鍵技術，可以實現氣密性高可靠封裝，已廣泛應用于傳感器制造領域。本文總結了多種適用于傳感器封裝的晶圓級鍵合技術，包括直接鍵合、陽極鍵合、玻璃熔塊鍵合、金屬鍵合和混合鍵合，分析了技術原理、工藝特點、優勢及其在實際應用中的適用性，并探討了應用場景。針對當前低溫鍵合、異質集成、高密度互連及高可靠性封裝...

一種集成柵電阻的高可靠性碳化硅功率器件研究————作者：臧雪;徐思晗;孫相超;劉志強;鄧小川;

摘要：針對汽車主驅牽引逆變器的高功率密度應用需求，設計并制造了一種集成柵電阻的平面型1 200 V SiC MOSFET器件。該器件導通電阻為14 mΩ，擊穿電壓達到1 750 V，通過優化多晶硅電阻結構設計，實現芯片上集成5 Ω柵電阻；在母線電壓為800 V時，SiC MOSFET器件短路時間為2.7 μs，短路耐量達到1.8 J。此外，器件通過了168 h高溫柵偏、高溫反偏等可靠性評估測試，表明該集...

電子元器件真空灌封工藝技術研究————作者：姜萬紅;吳文單;

摘要：闡述真空灌封工藝原理，灌封膠料選用和計量配膠系統的選擇，形成一種可行的電子元器件真空灌封工藝流程。主要通過對真空灌封工藝技術的研究，以解決電子元器件在灌封過程中容易產生氣泡或空洞等問題，實現電性能穩定性和可靠性提升

一種具有載流子動態調制的雙柵IGBT————作者：劉晴宇;楊禹霄;陳萬軍;

摘要：提出了一種具有載流子動態調制，可以顯著降低關斷損耗的雙柵絕緣柵雙極晶體管（DG-IGBT），并基于Sentaurus TCAD針對柵極控制不同的元胞比例1∶4和1∶2的DG-IGBT進行了電學特性仿真。DG-IGBT通過動態調控載流子分布，在關斷時降低漂移區內發射極側的載流子濃度，促進耗盡區的擴展，加快集電極電壓的上升速度，從而減小關斷損耗。通過器件仿真與實驗測試，系統研究了載流子動態調制對IGB...

先進封裝中銅柱微凸點互連技術研究進展————作者：張冉遠;翁銘;黃文俊;張昱;楊冠南;黃光漢;崔成強;

摘要：超高密度互連、三維異構集成是當前微電子技術發展的趨勢，銅柱微凸點作為先進封裝互連的核心技術，提供了高性能、多樣化的應用方案。討論了焊料銅柱微凸點互連的原理、特性及挑戰，詳細闡述了瞬態液相互連技術及固態擴散互連技術的研究進展，概述了納米材料修飾銅柱微凸點互連的不同方案，分析了各類材料的互連特性及性能。最后總結展望了銅柱微凸點互連技術未來的發展方向

混合鍵合中銅焊盤的微納結構設計與工藝優化研究進展————作者：楊剛力;常柳;于道江;李亞男;朱宏佳;丁子揚;李力一;

摘要：隨著晶體管微縮逐漸放緩，先進封裝和三維集成技術成為集成電路系統性能持續提升的重要路徑。混合鍵合是一種具有高密度三維集成能力的鍵合工藝，在人工智能芯片制造等應用中扮演日益重要的角色。銅焊盤是混合鍵合負責信號傳輸與供電的接口，其物理化學特性決定了工藝的良率和可靠性。目前，國際領先半導體企業在混合鍵合銅焊盤工藝領域已取得顯著進展，不僅建立了高密度金屬化-等離子體活化-低溫鍵合的系統化工藝流程，且通過技術...

高活性楊梅狀多孔微米銀顆粒及低溫燒結互連————作者：董镈瓏 ;李明雨;

摘要：<正>低溫燒結銀技術已經廣泛應用于大功率模塊封裝互連領域，然而燒結銀的楊氏模量較高，在封裝及服役過程中焊點產生的熱應力較高且難以得到有效釋放，增加了器件失效的風險。哈爾濱工業大學（深圳）李明雨教授團隊通過取向生長的方法合成了具有高比表面積（2.538 9 m2/g）的楊梅狀多孔微米銀顆粒，該楊梅狀顆粒內部具有豐富的納米孔及孿晶結構，表現出極高的燒結活性，可以在150℃下實現銀顆粒的燒結...

“面向先進封裝應用的銅互連鍵合技術”專題前言————作者：劉志權;

摘要：<正>銅（Cu）具有優異的電導率（～5.96×107S/m）、較高的熱導率（～401 W·m-1·K-1）、良好的抗電遷移能力（5×106A/cm2）以及較高的性價比，是電子信息產業中至關重要的互連材料。銅互連可以實現元件與元件或芯片、芯片與芯片或封裝基板之間的穩定、高效、低延遲連接,在電子封裝中起到舉足輕重的作用，其形式包括芯片大馬士革布線、重布線層（RDL）、凸點下金屬層（UBM）...

基于FPGA的CAN＿FD控制器的設計與驗證————作者：羅旸;何志豪;

摘要：CAN＿FD總線協議作為新一代汽車總線網絡的核心通信技術，在提升傳輸速率和擴展數據場長度方面展現出顯著優勢。然而，現有CAN＿FD控制器普遍采用封閉式IP核實現，協議棧不可見，嚴重制約了網絡系統的自主可控性。針對這一問題，本研究提出了一種基于FPGA實現的CAN＿FD控制器設計方案。該設計為兼容CAN標準，新增多項式循環冗余校驗設計CRC17和CRC21校驗算法，為數據傳輸的準確性添加了雙重保險。...

集成電路SiP封裝器件熱應力仿真方法研究————作者：吳松;王超;秦智晗;陳桃桃;

摘要：近年來微系統SiP封裝技術從微器件的設想到落地，逐步實現了工藝技術上的改進，直至今日滲透到信息、航天、船舶、醫學等多個領域，其發展趨勢已經勢不可擋。但是對于微系統SiP封裝器件，熱應力導致的熱失配是最重要的失效原因之一。想要分析器件的熱適配問題，實驗成本太高，基于有限元的數值仿真技術不僅可以滿足準確度要求，并且節省時間、資源等成本，但是國內外針對微系統SiP封裝器件的熱應力數值仿真方法并沒有進行系...

玻璃通孔技術的射頻集成應用研究進展————作者：喻甜;陳新;林景裕;鐘毅;梁峻閣;顧曉峰;于大全;

摘要：隨著射頻系統向高頻化、集成化發展，玻璃通孔（TGV）技術憑借玻璃基板的低介電損耗和高熱導率，成為突破傳統基板限制的核心方案。本文系統綜述TGV技術的制造工藝、射頻器件集成創新及其在5G/6G通信與毫米波系統中的應用進展。在射頻器件領域，TGV通過三維互連顯著提升集總電感電容等無源器件的性能密度，并支撐濾波器設計實現低插損和小型化。天線應用中，TGV多層堆疊技術推動封裝天線（AiP）向毫米波頻段拓展...

系統級封裝模組高可靠封焊技術研究————作者：成嘉恩;姬峰;張鵬哲;蘭元飛;何欽江;蘭夢偉;王明偉;

摘要：隨著射頻組件工作頻段不斷提高、裝配空間不斷壓縮，傳統基于二維多芯片組件工藝的射頻組件已無法滿足產品高性能、小型化、輕量化的需求。系統級封裝工藝將三維芯片疊層結構封裝至具有高布線密度的金屬陶瓷管殼結構中，通過焊錫球實現垂直方向的低損耗射頻互連，能夠極大提高產品集成度與性能。本文從封焊過程中的工裝設計、焊料設計以及焊接參數設計等多個維度開展研究，探究最優工藝路線，最終實現了密封漏率≤3×10^...

SiC MOSFET的單粒子漏電退化研究————作者：徐倩;馬瑤;黃文德;楊諾雅;王鍵;龔敏;李蕓;黃銘敏;楊治美;

摘要：研究了重離子輻照下SiC MOSFET器件單粒子漏電退化規律。通過重離子在線輻照實驗，分析了SiC MOSFET單粒子漏電的特性，并探討了潛在損傷對其柵可靠性的影響。使用激光束電阻異常偵測（OBIRCH）、聚焦離子束（FIB）和透射電鏡（TEM）等檢測手段，對單粒子潛在損傷器件的內部結構變化進行了表征。結合宏觀電學特性與微觀結構變化，揭示了SiC MOSFET器件單粒子漏電退化的機制。研究結果為提...

Sb微粒對SAC305錫膏焊接接頭性能的影響————作者：林欽耀;汪松英;曾世堂;

摘要：針對SAC305錫膏焊接接頭在苛刻的高溫環境中可靠性不足問題，本研究通過機械混合方式向SAC305錫膏添加Sb粉微粒制備復合錫膏SAC305-xSb（ x = 0%，2%，6%，10%，20%），研究Sb粉微粒添加含量對SAC305錫膏的潤濕性、熔化特性、焊點耐溫性、焊接接頭的空洞率以及微觀組織和力學性能的影響。結果表明：復合錫膏的潤濕性和焊接空洞率隨著Sb粉含量增加而下降、熔化特性和焊點耐溫性隨...

窄間距多芯片自動共晶焊接工藝研究————作者：賈海斌;趙彬彬;高婷;

摘要：共晶焊接是電子封裝領域一種重要的芯片鍵合工藝，典型共晶焊接工藝包括真空共晶焊接和摩擦共晶焊接兩種。與真空共晶焊接工藝相比，摩擦共晶焊接工藝具有操作簡單、靈活性高等優勢，并且已經實現自動化。隨著產品集成度提升，多芯片共晶設計得到普遍應用，與傳統單芯片共晶相比，多芯片共晶對工藝要求更高。本文針對某窄間距多芯片共晶封裝結構，基于自動摩擦共晶焊接工藝，從吸嘴設計、焊片尺寸控制、焊接參數設置等方面開展研究，...

先進封裝驅動下的片上互連技術發展態勢研究————作者：王翰華;崔忠杰;

摘要：隨著登納德縮放定律的失效以及“摩爾定律”的減緩，芯片性能的提升越來越依賴于多核架構。片上互連技術已經成為決定處理器性能的關鍵因素。片上網絡技術和先進封裝技術為處理器核心數量的規模化增長提供了必要的前提條件。然而，受先進封裝技術的驅動，片上互連的拓撲結構正經歷從二維向三維的轉變，這一變化導致互連結構復雜度提升，互連場景也日趨多樣化。傳統的基于電信號的有線互連技術已經顯示出其局限性，而光互連和無線互連...

臨時鍵合工藝中晶圓翹曲研究————作者：李碩;柳博;葉振文;方上聲;陳偉;黃明起;

摘要：在先進封裝領域，包括晶圓減薄、圓片級封裝、三維封裝、晶圓背面加工以及多芯片封裝體的晶圓重構等關鍵工藝中，臨時鍵合技術發揮著至關重要的作用。針對該技術在異質熱壓鍵合引發的翹曲進行了深入分析，并提出了解決方案，包括襯底和臨時鍵合膠的優選、旋涂工藝的優化以及鍵合參數的調整，以滿足先進封裝對低翹曲臨時鍵合工藝的需求

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