【雜志簡介】

　　《電子工藝技術》是我國電子行業生產技術綜合性科技期刊，該刊集眾多專業為一體，突出工藝特色，凡是與電子產品生產過程相關的技術，都是該刊的報道范圍。本刊是信息產業部優秀科技期刊，山西省一級期刊，全國電子行業核心期刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　信息產業部優秀科技期刊獎

　　山西省一級期刊

　　【欄目設置】

　　主要欄目：綜述、新工藝新技術、國外工藝文獻導讀、市聲信息、國外工藝文獻導讀、市場信息。

　　雜志優秀目錄參考：

　　微系統技術應用前景廣闊--寫在《微系統技術》欄目開辟之際 郝繼山

　　微系統功能模塊集成工藝發展趨勢及挑戰 劉志輝，吳明遠，LIU Zhi-hui，WU Ming-yuan

　　系統工程方法論在微系統設計中的應用探索 金長林，郝繼山，羅海坤，JIN Chang-lin，HAO Ji-shan，LUO Hai-kun

　　灌封工藝在電連接器尾部加固中的應用 王玉龍，石寶松，李靜秋，WANG Yu-long，SHI Bao-hong，LI Jing-qiu

　　飛針測試在數字T/R組件檢測中的應用 鄧威，蔣慶磊，劉剛，房迅雷，DENG Wei，JIANG Qing-lei，LIU Gang，FANG Xun-lei

　　金粉和玻璃粉對厚膜金導體漿料的性能影響 趙瑩，張建益，陸冬梅，趙科良，孫社稷，ZHAO Ying，ZHANG Jian-yi，LU Dong-mei，ZHAO Ke-liang，SUN She-ji

　　基于Si基芯片的Au/Al鍵合可靠性研究 王慧君，龔冰，崔洪波，WANG Hui-jun，GONG Bing，CUI Hong-bo

　　3 mm 頻段InP HEMT 低噪聲器件研究 廖龍忠，張力江，孫希國，崔玉興，付興昌，LIAO Long-zhong，ZHANG Li-jiang，SUN Xi-guo，CUI Yu-xing，FU Xing-chang

　　0.25μm高精度T型柵制作工藝研究 孫希國，崔玉興，付興昌，SUN Xi-guo，CUI Yu-xing，FU Xing-chang

　　微波功率芯片真空焊接工藝研究 羅頭平，寇亞男，崔洪波，LUO Tou-ping，KOU Ya-nan，CUI Hong-bo

　　PCB組件水清洗工藝技術研究 林小平，付維林，LIN Xiao-ping，FU Wei-lin

　　激光參數對鋁硅殼體焊縫形貌和氣密性能影響 王傳偉，雷黨剛，梁寧，胡駿，宋夏，楊靖輝，方坤

　　低溫共燒PZT壓電陶瓷材料的研制 文理，WEN Li

　　中級工程師職稱論文范文：移動社交網絡服務融合電子商務的盈利模式分析

　　摘要：社交網絡是用于服務用戶社交功能的網絡平臺。社交網站起源于美國，典型的代表是臉書網，聚友網等，在移動終端方面還有近兩年來興起的Instagram，中國社交網站雖然發展緩慢，但是隨著人人網和開心網的不斷發展，國內社交網絡也日益壯大，社交網站由于注冊人數和流量多而隱藏著巨大的商業潛力，但是我國本土的社交網站缺乏清晰的盈利模式，任何企業都是以盈利為主要目的，本文將主要通過分析比對國內外典型社交網站盈利模式，研究社交網絡融合電子商務的應用，希望能給中國移動社交網站提供一個參考。

　　關鍵詞：移動社交網絡,電子商務,盈利模式

　　近幾年，移動終端應用的發展速度比作雨后春筍一點都不夸張，各大社交網絡都相繼開展了自己在移動終端的市場，不過是社交網絡巨大影響力的一個縮影，我們主要以探索社交網絡在電子商務方面的盈利模式為主，社交網絡讓以人為單位的個體在互聯網有了全新的交流模式，重新定義了社交的含義，它是作為一個社交平臺而出現的，但同時它更是一個賺錢的企業，除了較大的社交網絡，很多社交網站都沒有生存下來，那么目前社交網絡主要的盈利模式主要有哪些呢?如何結合移動設備終端，利用自己的社交網絡的優勢，結合電子商務來進行企業的盈利模式使我們分析的問題。

　　電子工藝技術最新期刊目錄

某型PBGA芯片混裝回流焊工藝及質量控制————作者：楊偉;黎全英;巫應剛;任康橋;

摘要：為滿足電子設備可靠性要求，新品元器件在產品裝配前首先應分析潛在的質量風險，然后開展工藝驗證，最后得出新品元器件的生產工藝和質量控制措施。針對某型FC-PBGA 芯片，分析了芯片結構特點及生產工藝對芯片的影響，根據引起芯片分層的質量控制要點，提出混裝回流焊工藝驗證方案，從存儲、烘烤、車間放置、回流焊進行了工藝試驗，結合聲學掃描檢測，得出了最佳工藝參數及生產過程控制措施，再從實際產品多芯片焊接需求出發...

小型超寬帶微波溫度補償電路————作者：張濤;王歡;羅秋艷;林宏聲;

摘要：提出了一種新型超寬帶微波溫度補償電路，由超寬帶柵壓可控放大電路、柵壓控制電路組成，兩部分電路配合形成良好的射頻增益溫補效果。經應用實測，該微波溫度補償電路能夠在S～Ku超寬頻段范圍內除彌補放大器自身增益溫度變化外，在高溫+85 ℃額外提供0.5 dB補償，在低溫-55 ℃額外提供1.0 dB補償，且溫補效果不隨頻率惡化。該溫補電路無需額外增加無源溫補衰減器或電調衰減模塊，具有小型化、低成本、寬工作...

國產化LTCC基陶瓷管殼的可靠性分析————作者：盧會湘;柴昭爾;徐亞新;唐小平;李攀峰;田玉;王康;韓威;尹學全;

摘要：針對低溫共燒陶瓷(LTCC)基陶瓷管殼開展了國產化替代研究，采用化學鍍鎳鈀金工藝提高焊盤的焊接可靠性。通過鍵合強度、耐焊性和氣密性的檢測，對管殼及鍍層質量進行全面評估，并通過溫度循環及多批次重復驗證，保證了陶瓷管殼的穩定性、一致性。結果表明，所選用的國產可化鍍LTCC材料具有較好的應用前景

多芯片組件功率芯片粘接失效分析及工藝改進————作者：孫鑫;金家富;閔志先;吳偉;張建;何威;

摘要：在微波多芯片組件中，VDMOS功率芯片常見的組裝模式為粘接或焊接。導電膠粘接芯片雖具有操作簡單、工藝溫度低和便于返修的優點，但芯片的流片過程中易引入污染，在水、氧氣條件下與背金電鍍Ni層、導電膠Ag粉發生電化學腐蝕，導致接觸電阻增大的失效現象。經試驗分析發現，芯片背面污染無有效的去除方法，為避免污染物對電性能的影響，將粘接改為焊接后粘接，即芯片先焊接到鉬銅載體上，檢查釬透率合格后再用導電膠粘接到基...

全銀體系國產化LTCC基板工藝的關鍵技術————作者：馬濤;張鵬飛;李靖巍;

摘要：研究了全銀體系國產化LTCC基板的填孔、燒結及化學鍍鎳鈀金工藝。分析了漿料性能和掩模版參數對填孔工藝質量的影響，探討了基板燒結平整性與收縮一致性的控制方案，并剖析了化學鍍鎳鈀金工藝的影響因素。研究表明，填孔漿料的收縮率、觸變性能以及掩模版的厚度和孔徑均會顯著影響填孔工藝質量；導體漿料的燒結收縮率、基板燒結溫度及等靜壓工藝則直接關系基板的平整性和收縮一致性；LTCC材料特性及化學鍍鎳鈀金工藝對表層金...

μBGA焊接缺陷分析與改善————作者：高燕青;黎全英;

摘要：BGA器件的出現促進了SMT的發展和革新，因其高度集成、體積小、性能穩定，在多個領域得到了廣泛的應用，μBGA是一種更小的BGA形式。對μBGA器件出現的焊接缺陷進行了分析，排除了焊接工藝問題、器件本身問題。通過優化印制板焊盤的設計方式，解決了μBGA焊接缺陷

LTCC電路板化學沉積ENEPIG層焊盤內縮失效分析————作者：王玉廷;韓錫正;

摘要：以低溫共燒陶瓷(LTCC)共晶焊接時焊盤內縮為例，通過宏觀形貌檢查、X-ray膜厚衍射測試、電子顯微鏡掃描、X-ray能譜分析及截面分析等方法，探索失效原因與機理。通過元素面掃描圖像發現鎳層表面有異常氧化與磷聚集現象，這是最終導致焊盤表面共晶焊接時焊料內縮的主要誘因

小型化LTCC帶阻濾波器的設計與研制————作者：王志華;林亞梅;黎燕林;蒙騰奧;楊俊雅;

摘要：采用LTCC工藝設計一種集總元件結構帶阻濾波器，先用ADS 軟件優化仿真獲得電路元件初始值，然后采用微波電磁場仿真軟件HFSS對濾波器物理模型優化仿真。其中諧振單元采用左右對稱結構，降低三維模型調試難度。螺旋電感以雙層介質層線路為基礎進行環繞降低耦合電容的值。成功設計了一種LTCC帶阻濾波器，其中心頻率為1 500 MHz，在帶阻1 450 ～1 550 MHz范圍內衰減量大于32 dB，在通帶1...

生瓷片覆膜工藝關鍵技術————作者：莊園;

摘要：通過系統解析LTCC覆膜工藝的流程特征及技術瓶頸，重點突破生瓷片覆膜過程中的疊層精度控制、界面結合強度優化等關鍵技術，顯著提升了膜層均勻性與圖形對準精度，最終形成具備工程應用價值的高可靠性覆膜解決方案。研究通過系統性技術攻關實現了關鍵工藝指標的突破，為LTCC器件微互連技術的創新發展提供了重要技術支撐

LTCC基板共燒焊盤的可焊性分析————作者：孫建彬;陳翔;董軍榮;

摘要：FBGA與LTCC基板的焊接可靠性直接影響TR組件的功能實現以及性能一致性。針對樣件中出現的虛焊，進行了各種原因分析，最終確認LTCC基板共燒焊盤上玻璃相富集是導致焊接可靠性下降的主要原因，同時分析了玻璃相產生的機理及其影響因素。通過大量樣件試驗，探索出適合本項目的LTCC燒結溫度，為后續量產提供技術保障

晶圓鍵合加壓精度控制技術————作者：李安華;李文浩;郭靜楓;

摘要：為解決晶圓鍵合加壓精度控制問題，提高鍵合質量水平，以伺服電機驅動電動缸加壓系統為例進行研究。重點對壓力傳感器實時反饋與ARM控制器閉環控制技術進行分析，闡述在晶圓鍵合過程中的應用效果，并以此為基礎提出柔性力自平行加壓結構設計建議，通過系統化試驗的方式進行研究。結果表明：該控制方法具有優異的加壓精度控制能力，位移控制精度可達±1%，鍵合力控制精度達到±0.5%，研究結果具有較強的實用性，能夠為半導體...

立式LPCVD設備的設計————作者：陳慶廣;樊坤;趙瓛;黃志海;鄭紅應;

摘要：針對傳統的臥式爐特點，從目前8～12英寸90 nm到28 nm制程的工藝需求出發，提出了一種立式LPCVD設備設計方案。設備對標國際主流應用裝備，結合主流FAB產線大尺寸晶圓、高溫度均勻性、顆粒污染控制、全自動控制的需求，進行了設備的針對性設計。產線驗證結果表明，設備各項關鍵技術指標均滿足工藝要求

基于激光剝離的SiC晶錠電阻率的在線檢測平臺————作者：李曉燕;張志耀;邢夏斌;段云森;

摘要：SiC作為第三代半導體材料，生產成本高，所以要求SiC晶錠切出盡可能多的晶片，就對切割工藝提出更高的要求。但是，SiC晶錠不可避免會有“小面”，這將影響晶錠到晶片激光剝離的良率及效率。為此，研究用檢測晶錠表面電阻率的方法，把小面區域檢測出來，以便精準施加激光能量，提高激光剝離的成品率及效率，實現激光剝離設備的智能化、自動化

LPCVD制備二氧化硅薄膜工藝中防顆粒污染技術————作者：樊坤;黃志海;王理正;王志偉;蘇子懿;

摘要：二氧化硅（SiO₂）薄膜制備作為集成電路制造工藝中重要的一個步驟，在芯片的制造過程中具有多種用途，但易受顆粒污染造成產品不良。對采用TEOS源LPCVD法沉積SiO₂膜顆粒污染的方法進行了探索，設計了一種用于防顆粒污染的機構，該機構主要包括微環境系統和溫度控制系統，重點介紹了立式LPCVD設備工藝顆粒來源、微環境系統和溫度控制系統結構組成，以及微環境系統...

基于DMAIC模型的高純石墨粉純化工藝————作者：楊靜;張桂蕓;

摘要：隨著石墨粉的應用領域不斷拓寬，對石墨粉的純度要求也越來越高，石墨粉純度越高，使用價值越高，如何提高石墨粉的純度也隨之成為一個重要的課題。將DMAIC模型應用于石墨粉純化工藝過程，通過統計過程控制SPC、因果關系分析的方法，提高石墨粉的純度

引起印制電路板ICD失效的關鍵要素(續完)————作者：畢文仲;徐偉明;曾福林;安維;

摘要：從印制電路板ICD問題定義和缺陷類型展開分析，設計試驗方案，驗證ICD問題關鍵要素和產生的機理，從設計、板材、鉆孔、去鉆污、孔金屬化5個方面分析驗證，得出驗證結果，提出改善預防措施，為PCB從業者提供借鑒

不可展開曲面電路圖形與電阻一體化成型方法————作者：蔣瑤珮;方杰;崔西會;

摘要：基于激光微熔覆和三維直寫技術，提出了一種在不可展開曲面上實現電路圖形與電阻一體化成型的方法。通過激光粗化增強基材表面結合力，隨后采用噴墨直寫生成導電圖形和曲面電阻，并利用激光固化成型。試驗結果顯示，該工藝制備的電阻在恒溫放置、溫度變化和熱穩定性試驗中表現出良好的穩定性，同時鍍層附著力滿足應用要求。該技術提高了電阻和電路的集成可靠性，簡化了工藝流程，特別適用于復雜曲面結構中的共形天線設計，具備廣闊的...

面向航天應用的COTS器件錫須抑制方法————作者：朱永鑫;翁正;萬任新;劉紅民;

摘要：隨著航天型號任務對成本的控制，商業貨架產品(COTS)器件應用越來越多。該類產品器件引腳鍍層多為純錫鍍層，易于生長錫須，引發可靠性問題，因此研究工程上實際可行的抑制方法很有必要。對比了熱真空試驗條件下去應力退火以及兩種涂覆材料對錫須生長的影響。結果表明，75 ℃焊后烘烤對錫須生長抑制作用有限。不同涂覆材料對錫須生長抑制效果不同，手工涂覆DBSF-6101三防漆可減緩錫須生長，200周次熱循環后錫須...

MLCC中二次排膠的鎳氧化模型與電性能————作者：黃翔;宋進祥;成佩瑤;洪克成;毛石武;

摘要：BME-MLCC中Ni電極的氧化對于電容器的電性能和可靠性是一個重要的因素。通過熱力學數據，推導出Ni電極在高溫下的平衡氧分壓。根據二次排膠爐中氣氛選擇，結合加濕條件下的飽和水蒸氣蒸發模型，最終得到了氫含量、加濕溫度和爐溫與實際氧分壓的關系。通過比較該結果與平衡氧分壓，就可以判斷Ni電極是否會發生氧化。采用實際的二次排膠條件進行驗證得出的試驗數據與該模型能很好吻合。因此二次排膠溫度越高，氫含量越低...

全自動LCD面板切割生產線的掰斷機構————作者：李大偉;

摘要：設計研發了一種模擬人工手動掰裂面板動作的掰斷機構。在詳細分析面板掰斷原理和過程的基礎上，選取不同種類的典型面板進行掰斷試驗，在數字機顯微鏡下觀察面板斷面，效果良好無缺陷，達到了預期的目的。列舉了將該掰斷機構應用到自動切割生產線所面臨的問題并提出了改進方案，對后續全自動切割生產線的研發具有積極的參考借鑒意義

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