《半導(dǎo)體》雜志簡(jiǎn)介

　　本刊以馬列主義、毛澤東思想、鄧小平理論和“三個(gè)代表”重要思想為指導(dǎo)，全面貫徹黨的教育方針和“雙百方針”，理論聯(lián)系實(shí)際，開展教育科學(xué)研究和學(xué)科基礎(chǔ)理論研究，交流科技成果，促進(jìn)學(xué)院教學(xué)、科研工作的發(fā)展，為教育改革和社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)做出貢獻(xiàn)。《天津半導(dǎo)體技術(shù)》現(xiàn)用刊名《半導(dǎo)體雜志》

　　《半導(dǎo)體》收錄情況

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　　《半導(dǎo)體》欄目設(shè)置

　　主要欄目：研究報(bào)告、文獻(xiàn)綜述、簡(jiǎn)報(bào)、專題研究。

　　《半導(dǎo)體》雜志投稿須知：

　　1.文章標(biāo)題：一般不超過20個(gè)漢字，必要時(shí)加副標(biāo)題，并譯成英文。

　　2.作者姓名、工作單位：題目下面均應(yīng)寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱(一、二級(jí)單位)、所在城市(不是省會(huì)的城市前必須加省名)、郵編，不同單位的多位作者應(yīng)以序號(hào)分別列出上述信息。

　　3.提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，應(yīng)是一篇能客觀反映文章核心觀點(diǎn)和創(chuàng)新觀點(diǎn)的表意明確、實(shí)在的小短文，切忌寫成背景交代或“中心思想”，100-200字為宜。

　　4.關(guān)鍵詞：3-5個(gè)，以分號(hào)相隔，選擇與文章核心內(nèi)容相關(guān)的具有獨(dú)立性的實(shí)在詞。

　　5.正文標(biāo)題：內(nèi)容應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了，層次不宜過多，層次序號(hào)為一、(一)、1、(1)，層次少時(shí)可依次選序號(hào)。

　　6.正文文字：一般不超過1萬字，正文用小4號(hào)宋體，通欄排版。

　　7.數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835-1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀(jì)年、年代、年、月、日、時(shí)刻、各種記數(shù)與計(jì)量等均采用阿拉伯?dāng)?shù)字;夏歷、清代及其以前紀(jì)年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字?jǐn)?shù)字。

　　8.圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時(shí)，應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯?dāng)?shù)字順序編號(hào)，應(yīng)有簡(jiǎn)明表題(表上)、圖題(圖下)，表中數(shù)據(jù)應(yīng)注明資料來源。

　　9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列于文末參考文獻(xiàn)之前。釋義性注釋是對(duì)論著正文中某一特定內(nèi)容的進(jìn)一步解釋或補(bǔ)充說明;引文注釋包括各種不宜列入文后參考文獻(xiàn)的引文和個(gè)別文后參考文獻(xiàn)的節(jié)略形式，其序號(hào)為①②③……。

　　半導(dǎo)體最新期刊目錄

GaSb半導(dǎo)體表面極化子基態(tài)能量的研究————作者：李子軍,肖景林

摘要：采用L .L .P方法導(dǎo)出了表面極化子的基態(tài)能量 ,聲子平均數(shù) ,討論了電子在反沖效應(yīng)中發(fā)射和吸收不同波矢聲子之間相互作用對(duì)GaSb半導(dǎo)體表面中表面極化子基態(tài)能量的影響。數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明 :當(dāng)動(dòng)量趨于零時(shí) ,聲子之間的相互作用對(duì)極化子性質(zhì)無影響 ;當(dāng)動(dòng)量達(dá)到某一值時(shí) ,聲子之間相互作用的能量占極化子總能量中非常顯著的部分 ;隨著動(dòng)量 (平方 )的增加 ,聲子平均數(shù)近似線性地增加

雜質(zhì)和缺陷對(duì)非摻半絕緣LEC GaAs霍耳測(cè)量的影響————作者：楊瑞霞,付浚,于明,于海霞,張富強(qiáng)

摘要：研究了非摻雜半絕緣LECGaAs霍耳參數(shù)溫度關(guān)系。研究結(jié)果表明 ,雜質(zhì)和缺陷的不均勻分布引起的電勢(shì)波動(dòng)對(duì)霍耳測(cè)量結(jié)果有明顯影響 ,存在電勢(shì)波動(dòng)的情況下 ,僅用霍耳測(cè)量不能測(cè)定真實(shí)的自由載流子濃度和費(fèi)米能級(jí)位置

基于四位嵌入式MCU的數(shù)字調(diào)諧系統(tǒng)DTS0614————作者：居水榮

摘要：介紹了一種基于 4位微控制器的數(shù)字調(diào)諧系統(tǒng)———DTS0 614的功能框圖及特點(diǎn) ,并對(duì)其內(nèi)核部分的結(jié)構(gòu)、指令系統(tǒng)、微操作及指令數(shù)據(jù)流等作了分析

電流模電路的通用單元電路————作者：張鵬,趙惟莽,高清運(yùn)

摘要：提出了電流模電路中的一個(gè)通用積木塊———伴隨運(yùn)放。用它能把基于電壓運(yùn)放的電壓模電路轉(zhuǎn)換成電流模電路。分析了理想伴隨運(yùn)放的特點(diǎn)和應(yīng)用 ,提出一種CMOS伴隨運(yùn)放電路 ,介紹了用它設(shè)計(jì)的電流模濾波器

Conexant擴(kuò)建砷化鎵生產(chǎn)設(shè)備————作者：蘇雅

摘要：科勝訊(Ｃｏｎｅｘａｎｔ)系統(tǒng)公司日前宣布已完成了加州ＮｅｗＢｕｒｙＰａｒｋ工廠砷化鎵生產(chǎn)設(shè)備的大規(guī)模擴(kuò)建工程,為無線通信和網(wǎng)絡(luò)接入這兩個(gè)發(fā)展迅速的部門提供更強(qiáng)有力的支持。該工廠一年前每年只能生產(chǎn)1.5萬個(gè)4英寸的晶片。擴(kuò)建后,每年可進(jìn)行7.5萬個(gè)4英

電流模A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)————作者：王永旭,杜曦,高清運(yùn)

摘要：提出了一種新型 8位電流模逐次漸近型A/D轉(zhuǎn)換器 ,采用 2 μm p -阱CMOS工藝參數(shù) ,PSPICE模擬結(jié)果表明 :功耗為 8mW ,轉(zhuǎn)換時(shí)間為 1μs。若改用亞微米工藝 ,則轉(zhuǎn)換時(shí)間還可大大縮短

用跳耦法綜合開關(guān)電流帶通濾波器————作者：李波濤,宋健,許長喜,高清運(yùn)

摘要：提出了用leapfrog法設(shè)計(jì)開關(guān)電流帶通濾波器的普遍方法 ,設(shè)計(jì)了一個(gè)四階契比雪夫帶通濾波器 ,并用matlab軟件從信號(hào)流圖級(jí)進(jìn)行了模擬

Intel發(fā)布首款0.18微米快閃存儲(chǔ)器————作者：蘇雅

摘要：英特爾(Ｉｎｔｅｌ)公司近日發(fā)布了第一個(gè)來用0.18微米工藝的快閃存儲(chǔ)芯片———Ａｄｖａｎｃｅｄ+ＢｏｏｔＢｌｏｏｋ。該產(chǎn)品是Ｉｎｔｅｌ的第四代ＢｏｏｔＢｌｏｏｋ存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品,將提供新一代的安全防護(hù)解決方案,可使數(shù)字移動(dòng)電話和Ｉｎｔｅｒｎｅｔ應(yīng)用設(shè)備

微電腦時(shí)控系統(tǒng)————作者：黎新南,于青,劉碩,馬文敭

摘要：介紹的微電腦時(shí)控系統(tǒng)主要是按學(xué)校、工廠、機(jī)關(guān)等單位的供電要求而設(shè)計(jì)的 ,以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能及設(shè)備的合理應(yīng)用 ,避免繁雜的人工操作。它以 80 31單片機(jī)為核心 ,通過鍵盤實(shí)現(xiàn)人機(jī)對(duì)話 ,可完成日歷、電子表功能及實(shí)時(shí)控制功能

鑲嵌鎢的化學(xué)機(jī)械拋光的研究————作者：劉玉嶺,楊鴻波,檀柏梅,梁存龍

摘要：研究的是ULSI鑲嵌鎢CMP的選擇性 ,化學(xué)與機(jī)械作用匹配 ,漿料的懸浮及存放和后清洗等問題

多晶硅TFT及其在AMLCD中的應(yīng)用————作者：饒瑞,徐重陽,王長安,曾祥斌,趙伯芳,周雪梅

摘要：多晶硅薄膜晶體管目前是大面積微電子學(xué)領(lǐng)域中最熱門的研究課題之一 ,它以其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn) ,在液晶顯示領(lǐng)域中扮演著重要角色。簡(jiǎn)要介紹了多晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)、器件特性以及在有源矩陣液晶顯示器中的應(yīng)用

MOSFET開態(tài)熱載流子效應(yīng)可靠性————作者：穆甫臣,薛靜,許銘真,譚長華

摘要：綜述了近年來MOSFET的熱載流子效應(yīng)和可靠性問題 ,總結(jié)了幾種熱載流子 ,并在此基礎(chǔ)上詳細(xì)討論了熱載流子注入 (HCI)引起的退化機(jī)制。對(duì)器件壽命預(yù)測(cè)模型進(jìn)行了總結(jié)和討論。為MOSFET熱載流子效應(yīng)可靠性研究奠定了基

離子注入半絕緣GaAs電激活效率與電激活均勻性的研究————作者：劉明成,劉福潤,魯光元,趙杰,王永晨

摘要：研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制備的半絕緣GaAs襯底電激活效率與均勻性。結(jié)果發(fā)現(xiàn) :在相同條件下 (注入與退火 ) ,不同生長方法的半絕緣GaAs襯底電激活不同 ,通常電激活HB >LEC ,HBSI—GaAs(Cr)(1 0 0 )A面 >(1 0 0 )B面 ,S...

EL2能級(jí)對(duì)GaAs MESFET夾斷電壓的影響————作者：毛友德,顧成余,丁勇,寧王君,夏冠群,趙建龍,趙福川

摘要：在建立的理論模型基礎(chǔ)之上 ,定量地分析了EL2能級(jí)對(duì)GaAsMESFET夾斷電壓的影響 ,指出位于本征費(fèi)米能級(jí)以下的EL2能級(jí)是影響GaAsMESFET夾斷電壓大小的主要因素 ,EL2能級(jí)對(duì)GaAsMESFET夾斷電壓的影響程度與EL2能級(jí)的缺陷密度呈線性關(guān)系

住友電工開發(fā)出GaN單晶生長新工藝————作者：任學(xué)民

摘要：最近 ,日本住友電工宣稱 ,他們開發(fā)出一種ＧａＮ單晶生長新工藝 ,并制備出 2英寸ＧａＮ單晶片。這一新工藝是基于熱動(dòng)力學(xué)原理的 ,具體細(xì)節(jié)沒有公布。該公司稱正在投資 470萬美元建設(shè)一條ＧａＮ單晶片生產(chǎn)線 ,計(jì)劃明年批量生產(chǎn)。這一舉措將對(duì)ＧａＮ器件的研

超前進(jìn)位隨機(jī)脈沖計(jì)數(shù)器的研究————作者：王建萍,胡曉朋

摘要：利用隨機(jī)脈沖尾數(shù)求差原理 ,導(dǎo)出了二進(jìn)制兩路尾數(shù)求差的計(jì)算法。在不增加門速度的前提下 ,從根本上解決了隨機(jī)脈沖因交疊所產(chǎn)生的計(jì)數(shù)錯(cuò)誤。另外 ,在設(shè)計(jì)集成電路組件時(shí) ,內(nèi)部增設(shè)超前進(jìn)位專用加法器電路 ,從而保證該組件經(jīng)多級(jí)串聯(lián)后整體電路仍能實(shí)現(xiàn)快速計(jì)數(shù)功能。集成電路運(yùn)行實(shí)驗(yàn)表明 ,設(shè)計(jì)原理及運(yùn)行性能完全滿足設(shè)計(jì)要求 ,并可填補(bǔ)集成電路對(duì)隨機(jī)脈沖求差的空缺

高速數(shù)據(jù)跳頻通信系統(tǒng)中的新型頻率合成器————作者：李振東,程炳鳳,李文臣

摘要：介紹了一種適用于高速數(shù)據(jù)跳頻通信系統(tǒng)的新型頻率合成器。詳細(xì)分析了該頻率合成器的工作原理、技術(shù)指標(biāo)等 ,并且給出了具體的實(shí)施方案

世界10大半導(dǎo)體IP公司

摘要：排位公　司營收 (萬美元 )比上年增長 (% )1ＡＲＭ 8850 4 9.72ＭＩＰＳ 772 0 4 3.03Ｒａｍｂｕｓ 4 530 15.34Ｍｅｎｔｏｒ 3170 - 4 .25Ｓｙｎｏｐｓｙｓ 2 4 50 1.26Ｉｎｓｉｌｉｃｏｎ 19

移位寄存器芯片4517B在TDD-TDM終端設(shè)備中的特殊應(yīng)用————作者：吳虹,吳岳,劉國華

摘要：在TDD -TDM終端設(shè)備中 ,采用移位寄存器芯片 4 517B完成數(shù)字語音信號(hào)的壓縮、擴(kuò)張和存儲(chǔ)的功能

1999年化合物半導(dǎo)體的市場(chǎng)————作者：任學(xué)民

摘要：據(jù)美國ＳｔｒａｔｅｇｉｅｓＵｎｌｉｍｉｔｅｄ公司估測(cè) ,1 999年世界化合物半導(dǎo)體銷售額達(dá)到 1 0 9.8億美元 ,約占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)份額的 7.5 %。從 1 994～ 1 999年 ,化合物半導(dǎo)體銷售額翻了一翻 ,而且最近 2年增速加快。 2

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